| Apie | Žurnalas | Archyvas | Mokslo įdomybės | Paieška |

2001 m. Nr. 2 turinys

· Nacionalinis numeracijos planas - telekomunikacijų rinkos vystymosi užtikrinimo priemonė
· Garso paslaugos DSL tinkluose
· GJNASS - globalinė jūrų nelaimės atveju saugumo sistema
· Kazakhtelecom didina investicijas
· Žinutės

Internetas
· Interneto anarchistai
· Elektroninė laiko žymė
· Karas tinkle
· Kompiuterių e-muniteto beieškant
· IP telefonija, kurioje reikalingas tik vienas komponentas
· Ethernetas - konverguojančių technologijų tinklas
· Žinutės

Optinis ryšys
· Nuo idėjos iki milijardinio biznio
· Greičiau nei vakuume skriejantis fotonas
· Saugiai persiunčiamas kvantinis raktas
· Nauji perderinamieji bangos ilgio lazeriai optinio ryšio sistemoms
· Silicis tampa lazerine terpe
· Idealus fokusas
· Povandeninis optinis ryšys
· Šviesos diodai: geriausiojo šviesos šaltinio beieškant
· Mažesnės CCD matricos padidina vaizdų gavimo spartą
· Žinutės

Mobilusis ryšys
· Apie radijo prieigų signalus
· Radijo atgimimas
· Norvegijos prašmatnus mobilusis telefonas
· Pirmasis CMOS matricos technologija gamanintas GSM transyveris
· Žinutės

Elektronika
· Kada sušlubuoja atmintis
· Įpilk man dar kelis lazerius
· Naujoviškas ekranas
· Superlaidus plastikas
· Automobilis - tinklo naršyklė su padangomis
· Kas toliau?
· Airijos aukštųjų technologijų pramonė nepasiduoda nuosmukiui
· Pasiklausyk!
· Kokia yra atminties mikroschemų ateitis?
· Žinutės

Silicis tampa lazerine terpe

   Ketvirtadalį Žemės masės sudaro silicis. Mikroelektroninės technikos gamyba ir integralinės schemos labai išpopuliarino šį visur esantį cheminį elementą. Tai surišta su didėjančiu informacijos perdavimo greičio poreikiu, sąlygojančiu perėjimą nuo elektroninių signalų perdavimo grandinių prie šviesos grandinių, kurių elementai daugiausia gaminami iš silicio. Paskutiniu metu atlikti bandymai parodė, kad silicis turi dar vieną išskirtinę savybę - fizikams iš dviejų Italijos universitetų, Trento ir Catania, pavyko sukurti silicio junginį, pasižymintį lazerinės aktyviosios terpės savybėmis. Viename paskutiniųjų žurnalo „Nature" straipsnių italų mokslininkai aprašė savo eksperimentus, kurių metu jonų implantacijos metodais 3 nm diametro silicio nanokristalai buvo įterpti į grynojo kvarco kapsules, esančias užneštame ant silicio padėklo silicio dioksido sluoksnyje. Susidaręs lūžio rodiklio skirtumas tarp silicio nanokristalais prisotinto kvarco ir grynojo kvarco sričių sukūrė plokščią bangolaidžio struktūrą. Sukurta struktūra buvo kaupinama 2 ps trukmės 390 nm bangos ilgio titano safyro lazerio 82 MHz pasikartojimo dažnio antros harmonikos šviesos impulsais. Pastebėta, kad iš bangolaidžio briaunos sklido 800 nm bangos ilgio spinduliavimas, kurio intensyvumas priklauso nuo bangolaidyje sužadintos srities dydžio. Skaičiavimais įrodyta, kad esant stiprinimo koeficiento dydžiui 100 ± 10 cm-1, spinduliavimo intensyvumo kreivė visiškai atitiko spontaninės emisijos kreivės formą. Kitas neabejotinas spontaninės emisijos stiprinimą patvirtinantis požymis buvo tas, kad didinant kaupinimo spinduliavimo galią atsirandantis spontaninio spinduliavimo spektro juostos plotis susiaurėdavo.

Eksperimentas su silicio nanokristalinėmis struktūromis, kurio metu tikimasi sukurti naują perspektyvų lazerį.

   Atliktas ir dar vienas eksperimentas - į sukurtą silicio struktūrą buvo nukreipiamas silpnas 800 nm lazerio spinduliavimas. Nustatyta, kad esant silpniems kaupinimo intensyvumams lazerio spindulys yra sugeriamas, tačiau iš dalies padidinus kaupinimo spinduliavimo intensyvumą, lazerio spinduliavimas stiprinamas. Tyrinėtojų nuomone, stiprinimas atsiranda dėl užpildymo inversijos atsiradimo tarp sukuriamų sužadintų sandūros būsenų dėl sąlyčio su padėklu. Nors kiekvieno atskirai nanokristalo stiprinimas, palyginti su plačiai naudojamomis puslaidininkinėmis lazerinėmis terpėmis yra mažas, tačiau kai nanokristalai įterpiami tankiai, jų stiprinimas susideda, ir tada bendras makroskopinis visos sukurtos struktūros stiprinimas prilygsta lazerinių terpių stiprinimui. Kitas tyrimų žingsnis - jau aiškus. Reikia sukurti struktūrą, kurioje nanokristalai būtų išdėstyti horizontalioje arba vertikalioje plokštumoje, sudarant optinį rezonatorių, ir kad šiuo atveju būtų galima patenkinti pagrindinę lazerinės generacijos sąlygą - sukurti teigiamą grįžtamąjį ryšį. Nekreipiant dėmesio į visas šias optimistines prognozes, aišku, kad kol kas yra keletas rimtų kliūčių kuriant silicio lazerius. Viena jų -tai lėtas silicio nanokristalų spinduliavimas, trunkantis mikrosekundes, ir konkuruojantys bespinduliniai procesai, galintys stipriai sumažinti sužadintų būsenų inversiją.


El. p.: info@elektronika.lt