Visiems mums reikia daugiau ir daugiau skaitmeninės atminties. Mobiliajame telefone, kad jis galėtų įsirašyti visus kada nors jūsų gautus pranešimus, kompiuteryje, kad duomenys niekuomet nedingtų netikėtai išsijungus tinklo įtampai.

   Visa sutalpinančios atmintinės tėra graži svajonė, nors šių prietaisų kūrimo pažanga labai paspartėjo. Kovo mėnesį kompanijos Philips specialistai pranešė apie naują medžiagą, skirtą fazinio virsmo atsitiktinės kreipties atmintinėms (RAM - Random Access Memory), padarysiančią šias atmintines ir talpesnes, ir spartesnes.

   Šiuo metu pagrindinis elektroninių nelakiųjų (išlaikančių įrašytus duomenis net ir tada, kai maitinimo įtampa yra išjungta) atmintinių standartas yra vadinamieji "flešai" (flash). Jie turi savų trūkumų. Šių atmintinių ląsteles sumažinti nėra lengva, todėl viename luste sutalpintų duomenų skaičius yra gana ribotas. Be to flešai yra per lėti ir per brangūs, kad juos būtų galima montuoti į kompiuterius. Todėl daugybė mokslininkų visame pasaulyje ieško kuo juos būtų galima pakeisti. Alternatyva turėtų būti pigus prietaisas, kuris saugo duomenis nenaudodamas tam elektros srovės.

   Kai kurios grupės bando sukurti atmintines, saugančias duomenis magnetinių perjungiklių matricoje (MRAM atmintinės). Bet Samsung, Intel ir STMicroelektronics didžiausią dėmesį yra sutelkę į fazinio virsmo RAM atmintines, naudojančius panašius fizikinius principus kaip ir DVD ir kiti optiniai diskai.

   Perrašomuose optiniuose diskuose bitai yra įrašomi lazerio pluošteliu išlydant jų dangą ir dangos medžiagą padarant vienos iš dviejų būsenų: kristalinės arba amorfinės. Šiomis dviem medžiagos fazėmis ir yra užrašomi pageidaujamos saugoti informacijos vienetai ir nuliai, kuriuos perskaityti galima pasitelkus silpną lazerio pluoštelį, kurį abiejų būsenų medžiaga atspindi skirtingai.

   Lopinėlis, kuriame yra įrašytas bitas, gali būti labai mažytis -jam sudaryti pakaktų vos kelių dešimčių atomų. Todėl tokios fazinių virsmų atmintinės galėtų būti labai talpios.

   Šiokios tokios pažangos buvo pasiekta kuriant fazinio virsmo RAM naudojant standartinius silicio lustus. 2004 m. Samsung pristatė 64 megabaitų RAM atmintinės prototipą. Jame bitai buvo įlydomi ne lazeriu, o elektros impulsais, gi duomenų nuskaitymui buvo lyginamos dviejų medžiagos fazių varžos.

   Tokios atmintinės turi vieną rimtą trūkumą - joms reikia nemažos elektros srovės. Todėl svarbiausias Philips išradimas ir buvo medžiagos, kurią galima perjunginėti ne srove, o tiesiog elektriniu lauku, atradimas.

   Philips naudoja stibio, telūro ir dar kitų, laikomų paslaptyje, elementų lydinį, kuriame fazės virsmas įvyksta tada, kai elektrinis laukas viršija tam tikrą slenkstinę vertę.