Korporacija Intel išbandė naują miniatiūrinių silicio tranzistorių gamybos procesą. Tranzistoriai tėra 20 nm dydžio; juos gaminant buvo panaudota kraštutinės ultravioletinės litografijos EUV (Extreme Ultra Violet) technologija.

   Tranzistoriai yra svarbiausieji mikroprocesorių komponentai, todėl jų sumažinimas labai pagerina visus kompiuteriams skirtų lustų parametrus. Intel tvirtina, kad jų pasiekimas leis toliau didinti kompiuterių galią dabartiniais tempais dar bent dešimtmetį. Tiesa, tranzistoriai dar nebuvo išbandyti pačiuose integriniuose grandynuose.

   Pastaraisiais metais daug kas baiminosi, kad esantys mikroelektronikos technologijos būdai susidurs su visa eile sunkiai įveikiamų kliūčių. Viena iš tų kliūčių buvo laikomas mažesnių už šviesos, naudojamos projektuojant grandyno vaizdą į silicio plokštelę, bangos ilgį darinių gaminimas. Tačiau EUV technologijoje yra naudojama spinduliuotė, kurios bangos ilgiai yra kur kas trumpesni nei tradicinių ultravioletinių spindulių.

   Intel mano, kad jų pasiekimas leis mikroelektronikai ir toliau tobulėti taip, kaip tai buvo numatyta Moore dėsnio. Šį dėsnį dar 1965 m. suformulavo Intel įkūrėjas Gordonas Moore. Jis sako, kad integriniame grandyne esančių tranzistorių skaičius padvigubėja maždaug kas aštuoniolika mėnesių.

   Naujausiuose Intel procesoriuose Pentium 4 yra 47 mln. tranzistorių, kuriuos gaminant buvo naudojami 0,18 µm gamybos procesai. Tokio pat dydžio procesoriuje tilptų beveik milijardas 20 nm (0,02 µm) dydžio tranzistorių, todėl procesorius pasidarys 20 kartų galingesnis. Intel tikisi, kad tokie procesoriai bus pradėti gaminti apie 2007 metus.